まず細かい所まで計測しやすくするため縦軸２０ｍA/div、横軸２０V/divとやや低めにとり、−Eg1（バイアス電圧）を０〜１０V、１０〜２０V、２０V〜３０V、３０〜４０Vの４段階に分けてｇｍの値を出してみます。
グラフがやや大きくなりますが、僅かな電圧変化を描くため仕方ありません。ロードラインは８Ω負荷に対し真空管を４本パラにしたとして、３２Ωですが簡略化して３０Ωで考えます。
このグラフによるｇｍの計測からゲインの表を作るにあたり、プレートフォロワとカソードフォロワそれぞれのゲインは下の図のような考え方で計算します。
またμの値はグラフより、バイアス電圧が変わってもそれほど大きく変化していないのでおおよそ「５」とし、増幅度もとりあえず「５」としました。
負荷の値は基本的に８Ω（４パラで約３０Ω）で考えますが、私の好きな手持ちのオールドフルレンジには１６Ωのものが多いので、一応１６Ω負荷（４パラで約６０Ω）も考慮に入れました。もちろん４Ωは対象外です。
以上の計測と計算による下の表を見ると、バイアスの深い１０V入力付近ではゲインが０,２６倍（
赤文字）となり、簡易実験を行った時、２,５Vしか出力できなかった実態と一致します。
| バイアス電圧（−V) |
０〜１０ |
１０〜２０ |
２０〜３０ |
３０〜４０ |
| ｇｍ（mho） |
２２ｍ |
１８ｍ |
１２ｍ |
９ｍ |
| Zout（Ω） |
２２７ |
２７８ |
４１７ |
５５６ |
| プレート側ゲイン(倍）８Ω |
０，５９ |
０，４９ |
０，３４ |
０，２６ |
| プレート側ゲイン(倍）１６Ω |
１，０４ |
０，８８ |
０，６３ |
０，４９ |
またカソードフォロワ側のゲインは下の表となります。
| バイアス電圧（−V) |
０〜１０ |
１０〜２０ |
２０〜３０ |
３０〜４０ |
| ｇｍ（mho） |
２２ｍ |
１８ｍ |
１２ｍ |
９ｍ |
| Zout（Ω） |
４５ |
５５ |
８３ |
１１１ |
| カソード側ゲイン(倍） ８Ω |
０，４ |
０，３５ |
０，２７ |
０，２１ |
| カソード側ゲイン(倍）１６Ω |
０，５７ |
０，５２ |
０，４２ |
０，３５ |
これらの値から上下のゲインの比率を出してみると、バイアス電圧が浅い（低電圧）ほど徐々にゲインが増えるのは普通のPP同様３次歪ですが、上下のゲイン比で２次歪も増えてゆくのがわかります。
| バイアス電圧（−V) |
０〜１０ |
１０〜２０ |
２０〜３０ |
３０〜４０ |
| 上下ゲイン比 ８Ω |
１，４８ |
１，４ |
１，２６ |
１，２４ |
| 上下ゲイン比 １６Ω |
１，８２ |
１，６９ |
１，５ |
１，４ |
仮に下側（プレートフォロワ）出力段につながる移送反転P-K分割回路のカソード抵抗値を、プレート抵抗値の８０％（１６Ωの時は７０％）とすればこの比率は下の表のようになるはずです
そしてこれに初段管の２次歪が加われば、負帰還や正帰還無しでも取りあえず歪率だけは低いアンプが出来ると予想されます。そこで以上のデータを基に回路を設計してみました。
| バイアス電圧（−V) |
０〜１０ |
１０〜２０ |
２０〜３０ |
３０〜４０ |
| 上下ゲイン比 ８Ω |
１，１８ |
１，１ |
１，０１ |
０，９９ |
| 上下ゲイン比 １６Ω |
１，２７ |
１，１８ |
１，０５ |
０，９８ |
出力段のゲインをカソードフォロワ側の最大値０,４倍として、入力電圧が４０Vならば出力１６Vとなり、これがｒｍｓならば１１,２Vとなるため出力は１６W弱と思いがちです。
しかしカソードフォロワにはプレートフォロワの２,５割り増しつまり５０Vのドライブ電圧が入るので、仕上がり電圧として１４Vｒｍｓつまり２４W出力程度まで期待できると考えられます。
またP-K分割に内部抵抗の低い６S１９Pを用いているのは力強い音がするからではなく、パワー段のグリッド抵抗が４個もぶら下がるため、１０：８のバランスがくずれないよう、出来るだけ低負荷で送り出したいからです。
今後の考察は真空管OTLの実作で最大の問題点である電源をどうするかに入ります。例えば１４V出力時、８Ωの負荷には１,７５Aｒｍｓ流れ、これに４５０Vが掛かってきますから７００Wの電源が必要です。
この値は仮に色々な理由を付けて半分でごまかしても３５０W、ステレオで７００Wとなります。つまり真空管OTLにおいて「ちゃんとした電源で鳴らそう！」という考え方自体、コスト的、スペース的、重量的に無理があるとも考えられます。
ところで出力段のゲインを検討した結果、別のプランが浮かびました。
つづく
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